Двойной полированной монокристаллического Si подложки 25.4*2 мм/эпитаксиальных вафли/сопротивления Дополнительно/высокой чистоты кремниевой подложке

Двойной полированной монокристаллического Si подложки 25.4*2 мм/эпитаксиальных вафли/сопротивления Дополнительно/высокой чистоты кремниевой подложке

2 053 руб.

Описание

Технические характеристики:

1. Материал: Высокая чистота кремния

2. Диаметр: 25.4 мм

3.Толщина: 0.5 мм

4. Сопротивление: 0.0001-100 Вт

5. Ориентация: <111>, <100>, <110>

6. Лак: двойная полировка

7. плоскость: <1 микрометр

8. основное применение: подложка для PVD/CVD покрытие пленка/Экспериментальный образец носителя/Подложка для молекулярного луча epitaxy

Изделия можно подгонять. Если вы хотите получить эту услугу, пожалуйста, свяжитесь с нами.

Пожалуйста, свяжитесь с нами перед покупкой, чтобы подтвердить наличие количества товара в наличии.

Двойной полированной монокристаллического Si подложки 25.4*2 мм/эпитаксиальных вафли/сопротивления Дополнительно/высокой чистоты кремниевой подложке

Двойной полированной монокристаллического Si подложки 25.4*2 мм/эпитаксиальных вафли/сопротивления Дополнительно/высокой чистоты кремниевой подложке

Характеристики

Габаритные размеры: 25.4*2