Описание
850 нм 1.8mwдвухножная оптическая связь лазерный диод лазерная трубка ближнего инфракрасного LD
Особенности & применения
1. Высокоскоростной центр обработки данных
2. Низкая зависимости электрических и оптических характеристик от температуры
Пороговый ток: 0,8-2 мА
Выходная мощность: 1,2-1,8 МВт
Эффективность наклона: 0,35-0,55 МВт/мА
Рабочее напряжение: 1,9 в
Сопротивление: 35-65 Ω
Длина волны лазера: 840-860nm
Спектральная ширина полосы частот: 0.5nm
Дивергенция бобов: 25-30 град.
Относительная интенсивность шума:-130 дБ/Гц
Абсолютное максимальное значение:
Температура хранения:-40-100 ℃
Рабочая температура: 0-85 ℃
Постоянный ток вперед: 12 мА
Температура пайки: 260℃
Чип Размеры:
Размер чипа: 250x230x150мкм (t) +-15мкм
Склейка: мкм = 100мкм
Посылка:
1x 1,8 нм МВт лазерный диод
Характеристики
- Тип товара
- Проблесковый свет лазера
- Бренд
- Q-BAIHE
- Номер модели
- FU-850LD-1.8-RLD8501
- Threshold current -
- 0.8-2mA
- Output power -
- 1.2-1.8mW
- Slope efficiency -
- 0.35-0.55mW/mA
- Operating voltage -
- 1.9V
- Resistance -
- 35-65ohm
- Wavelength -
- 840-860nm
- Spectral bandwidth -
- 0.5nm
- Bean divergence -
- 25-30 deg
- relative intensity noise -
- -130 dB/Hz
- Continuous forward current -
- 12mA
Сопутствующие товары
