Igbt-модуль SKM195GAL126D 195A 1200 V SKM145GAL123D 145A

Описание

Особенности:

1. MOS вход

2. однородный канал N Si

3. Низкий корпус индуктивности

4. короткий хвост ток с низкой температурой depedence

5. высокая возможность короткого замыкания, самостоятельное ограничение до 6 *Icnom

6. изолированная медная опорная плита с использованием технологии прямого соединения меди DCB

Применения:

1. AC поворотные приводы

2. Мощность поставки